Nhiệt dung riêng của silic cacbua là bao nhiêu?
Silicon carbide là một vật liệu được sử dụng rộng rãi trong các lĩnh vực như điện tử, quang học và hóa dầu. Trong các ứng dụng này, độ dẫn nhiệt là một tính chất vật lý quan trọng và nó liên quan chặt chẽ đến
Đó là nhiệt dung riêng. Nhiệt dung riêng là lượng nhiệt hấp thụ hoặc giải phóng trên một đơn vị khối lượng của một chất khi nhiệt độ thay đổi một đơn vị dưới áp suất không đổi. Đối với silicon carbide, nhiệt dung riêng của nó thay đổi ở các nhiệt độ khác nhau. Lấy silicon carbide ở nhiệt độ phòng làm ví dụ, nhiệt dung riêng của nó là khoảng 0,71 J/(g · C). Khi nhiệt độ tăng, nhiệt dung riêng sẽ giảm dần. Khi nhiệt độ đạt khoảng 1000C, nhiệt dung riêng của nó đã giảm xuống còn khoảng 0,63 J/(g · C).
Độ dẫn nhiệt cao và nhiệt dung riêng thấp của silicon carbide làm cho nó vượt trội trong nhiều ứng dụng nhiệt độ cao. Ví dụ, trong quá trình chế biến chất bán dẫn, silicon carbide có thể được sử dụng làm vật liệu nền để sản xuất các thiết bị điện tử công suất cao, tần số cao. Trong lĩnh vực hàng không và vũ trụ, silicon carbide cũng được sử dụng rộng rãi trong các vật liệu nhiệt độ cao, lớp phủ nhiệt độ cao, lớp phủ rào cản nhiệt và các lĩnh vực khác.
Đồng thời, silicon carbide cũng có một số tính chất chống oxy hóa nhất định, có nghĩa là nó có thể chịu được quá trình oxy hóa ở nhiệt độ cao mà không dễ bị hư hỏng, làm cho ứng dụng của nó trong một số môi trường nhiệt độ cao đáng tin cậy hơn. Tóm lại, nhiệt dung riêng của silicon carbide là một trong những tính chất vật lý quan trọng của nó,
